품질 인듐 인화물 웨이퍼 & 갈륨 질화물 웨이퍼 제조업체

우리가 누구인지

소개

제한된 Xiamen Powerway 진보된 물자 Co.는 (PAM-XIAMEN) 합성 반도체 물자 통합 반도체 결정 성장, 공정개발 및 켜쌓기를 위한 하이테크 기업이어, 거기입니다 2개의 요점 분야 합성 반도체 웨이퍼의 연구 그리고 생산을 전문화하: SiC&GaN 물자 (SiC 웨이퍼 및 켜쌓기, GaN 웨이퍼 및 epi 웨이퍼) 및 III-V 물자 ...

QC 품질 프로필

주괴에서, 켜쌓기에 기질은, 각 과정 감시됩니다. 측정 가동은 (epi 웨이퍼를 위해) 검사 웨이퍼 측정과 생산 웨이퍼 측정을 포함합니다. 검사 웨이퍼를 위해, 우리는 주로 장비의 안정성을 시험합니다, 또는 웨이퍼 구조를 조정하기 위하여, 질 검사는 또는 배치 매일 시행될 것입니다; 지상 입자, 파장, 저항, 운반자 이동도 및 홀은 현미경의 밑에, 그 후에...

저희에게 연락하십시오

주소 : #506B의 Henghui 사업 센터, No.77의 Lingxia Nan 도로, 첨단기술 지역, Huli, Xiamen 361006, 중국

팩스 번호 : 86-592-5563272

이메일 : info@qualitymaterial.net

더 많은 것을 전망하십시오 >>

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

철에 의하여 진한 액체로 처리되는 인듐 인화물 웨이퍼 전성기 급료 4 인치 웨이퍼

철에 의하여 진한 액체로 처리되는 인듐 인화물 웨이퍼 전성기 급료 4 인치 웨이퍼

2개 인치 GaN 갈륨 질화물 기질 독립 구조로 서있는 고주파 장치 사용

2개 인치 GaN 갈륨 질화물 기질 독립 구조로 서있는 고주파 장치 사용

반 격리 SiC 실리콘 탄화물 기질 6H 거짓 급료 10mmx10mm

반 격리 SiC 실리콘 탄화물 기질 6H 거짓 급료 10mmx10mm

인듐 인화물 웨이퍼 & 갈륨 질화물 웨이퍼

단결정 GaN 기질 N 유형 자유로운 서 있는 전기 전도도

반 실리콘 기판 연구 급료를 격리하는 4 인치 실리콘 박편

6 인치 비화 갈륨 기질 기계적인 급료 고저항 N 유형

4 인치 InAs 웨이퍼 전성기 급료 P 유형 아연 반도체에 첨가하는 소량의 불순물 기계적인 급료

인치 Undoped 급료 InSb 주요한 웨이퍼 3 적외선 천문학 N 유형을 위해

반도체 GaSb 갈륨 안티몬화물 웨이퍼 2 인치 시험 급료 500±25um 간격

CZ Undoped 닦은 Powerway 웨이퍼 단결정에 의하여 3 인치 Ge 기질

반도체 실리콘 박편 FZ N 유형 3 인치 결정 성장 켜쌓기 기술

광섬유 AWG를 위한 매우 얇은 간격을 가진 붕규산염 뚜껑 유리제 웨이퍼

다이오드 트랜지스터 Opitical 성분을 위한 반도체 CdZnTe 웨이퍼

결정 InP 반 SI 유형 광섬유 사용을 격리하는 3 인치 웨이퍼 거짓 급료

Si는 iii 질화물 LDs 고속 수요를 위해 독립 구조로 서있는 GaN 기질을 타자를 칩니다